Mos管

众所周知，我们的PC主机上使用的处理器是低压和高功率部件，根据CPU类型从几十到几百瓦不等，而电压只有两伏多一点。

通过了解，我们知道主电源的电压输出没有这么低的输出电压，而我们常用的主板CPU主电源来自由一对MOS管组成的开关电路。

所谓的MOS管是一个绝缘栅场效应晶体管，它分为N沟道和P沟道（N沟道MOS管一般用在主板上），以及管的类型。

每个通道进一步分为增强型和耗尽型。

两种类型。

这里我们只简要介绍一下N沟道MOS晶体管的工作特性：管子有三个极点，两个电极分别从沟道的两端引出，称为源极（S极）和漏极（D极）和另一个它被称为门（G极）。

当栅极和源极的两极之间的电压的绝对值| Ugs | = 0，漏极和源极之间已经存在沟槽（D和S之间的导通耗尽），栅极和源极之间的电压介于绝对值| UGS | ＆安培; GT; 0当漏极源之间有导电槽时，它是增强型管。

下面我们将根据MOS管的基本特性简要说明CPU的电源电路原理。

一般而言，FET的工作原理是“在漏极和源极之间流动的沟道的ID，以及由栅极和沟道之间的pn结形成的反向偏压的栅极电压控制ID”。

更准确地说，ID流过路径的宽度，即沟道横截面积，这是由pn结的反向偏压的变化引起的，导致耗尽层扩展变化的控制。

在VGS = 0的不饱和区域中，所示过渡层的延伸不是很大。

根据施加在漏极和源极之间的VDS的电场，源极区域中的一些电子被漏极，即从漏极拉出。

当前ID流到源。

从栅极延伸到漏极的过量层形成块型并且ID饱和。

这种状态称为夹断。

这意味着过渡层阻挡了通道的一部分而不是切断电流。

高质量的MOS管可以承受更高的电流峰值。

在正常情况下，我们必须判断主板上MOS管的质量，可以看到它能承受的最大电流。

有许多参数会影响MOS管的质量，例如极端电流和极端电压。

但是，不可能在MOS管上标记这么多参数，因此MOS管的表面通常只标有产品的型号。

我们可以根据模型找到具体的性能参数。

还应注意，温度也是MOS管的非常重要的性能参数。

主要包括环境温度，外壳温度，储存温度等。

随着CPU频率的增加，MOS管需要承受的电流增加，并且通常提供近一百A的电流。

由这种大电流产生的热当然会导致MOS管“发热”。

为了MOS管的安全性，高质量的主板也开始为MOS管安装散热片。

在过渡层中，由于没有电子和空穴的自由移动，它在理想状态下几乎具有绝缘特性，并且通常难以流动电流。

但此时，漏极和源极之间的电场实际上是与栅极的漏极和下部接触的两个过渡层，并且由漂移电场拉动的高速电子穿过过渡层。

ID的饱和是由漂移电场的强度几乎恒定的事实引起的。

接下来，VGS在负方向上改变，使VGS = VGS（关闭），并且过渡层基本上变为覆盖整个区域的状态。

此外，VDS的大部分电场被施加到过渡层，并且将电子拉向漂移方向的电场仅是靠近源的短的部分，这使得电流不流动。

目前，主板或显卡上使用的MOS管并不太多，一般约为10，主要是因为大多数MOS管都集成在IC芯片中。

由于MOS管主要为附件提供稳定的电压，因此通常在CPU，AGP插槽和存储器插槽附近使用。

一组MOS管布置在CPU和AGP插槽附近，存储器插槽共用一组MOS管，MOS管一般以两组的形式出现在主板上。