与普通晶闸管相同：PNPN四层半导体结构，带有外部阳极，阴极和栅极。
与普通晶闸管不同：GTO是一种多元件功率集成器件，具有数十甚至数百个GTO共阳极。
这些GTO的阴极和栅极在器件内并联连接。
由P1N1P2和N1P2N2组成的两个晶体管VT1，VT2分别具有共同的基极电流增益α1和α2。
A1 + a2 = 1是器件临界导通的条件。
当a1 + a2＆amp; 1时，两个等效晶体管过饱和以导通器件;当a1 + a2＆amp; lt; 1时，不能保持和关闭饱和传导。
1.提取饱和导通期间存储的大量载流子 - 存储时间ts，使等效晶体管不饱和。
2.等效晶体管从饱和区域退回到放大区域，并且阳极电流逐渐减小 - 下降时间tf。
3.残余载体重组 - 尾部时间tt。
4，通常tf远小于ts，tt比ts长。
5.栅极负脉冲电流的幅度越大，前沿越陡，泵送存储的载流子越快，ts越短。
6.栅极负脉冲的后沿缓慢衰减。
如果在tt阶段期间保持适当的负电压，则可以缩短尾部时间。
